薄膜形成方法及び記憶素子

開放特許情報番号
L2020000445
開放特許情報登録日
2020/2/28
最新更新日
2020/2/28

基本情報

出願番号 特願2018-107375
出願日 2018/6/5
出願人 国立大学法人千葉大学
公開番号 特開2019-210511
公開日 2019/12/12
発明の名称 薄膜形成方法及び記憶素子
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 薄膜形成方法及び記憶素子
目的 室温環境において、単分子膜のエッジ部分で形状が変化しない薄膜形成方法及び記憶素子を提供する。
効果 室温環境において、単分子膜のエッジ部分で形状が変化しない薄膜形成方法及び記憶素子を提供することができる。
技術概要
d電子軌道を表面に有する磁性材料に、π共役分子の薄膜を固定する薄膜形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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