スピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、およびメモリ装置

開放特許情報番号
L2020000429
開放特許情報登録日
2020/2/26
最新更新日
2020/6/25

基本情報

出願番号 特願2019-143322
出願日 2019/8/2
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2020-077841
公開日 2020/5/21
発明の名称 スピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、およびメモリ装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 磁壁、磁気バブル、スキルミオン等のトポロジカルなスピンテクスチャの制御装置、制御方法、および、スピンテクスチャの状態に対応したデータを記憶するメモリ装置
目的 消費電力が低く、長時間の安定した動作を可能とし、かつ情報損失を抑えることが可能なスピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、および、それらを利用したメモリ装置を提供する。
効果 消費電力が低く、長時間の安定した動作を可能とし、かつ情報損失を抑えることが可能なスピンテクスチャ制御装置、スピンテクスチャ制御方法、および、それらを利用したメモリ装置を提供することができる。
技術概要
基材と、
前記基材の一面に、下部電極層、磁性体膜、絶縁層、上部電極層が順に積層されてなる積層体と、
前記下部電極層と前記上部電極層との間に電圧を印加する電源と、を備え、
前記磁性体膜が、膜面に垂直な方向に磁気異方性を有しており、前記磁気異方性が、前記積層体の積層方向に直交する方向において、連続的に単調に増加または減少している、ことを特徴とするスピンテクスチャ制御装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡についての可・不可はそのときの状況によります。

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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