反応現像画像形成法

開放特許情報番号
L2020000393
開放特許情報登録日
2020/2/24
最新更新日
2020/2/24

基本情報

出願番号 特願2005-035508
出願日 2005/2/14
出願人 国立大学法人横浜国立大学
公開番号 特開2006-221019
公開日 2006/8/24
登録番号 特許第4538631号
特許権者 国立大学法人横浜国立大学
発明の名称 反応現像画像形成法
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 フォトレジスト技術
目的 側鎖にカルボニル基を有するポリマーを用い、これに紫外線を照射し、金属アルコキシドと極性溶媒から成る現像液を用いて1段階で現像してフォトレジストを形成する新規な「反応現像画像形成法」を提供する。
効果 ミクロ電子工学及びオプトエレクトロニクス回路や部品に利用することができ、例えば、半導体集積回路、プリント配線基板、液晶パネル、導波管などとして用いることができる。
技術概要
基板上に側鎖に下式
【化3】

(式中、R↑2は、アルキル基又はアリール基を表す。)の置換基を有するポリマー及び光酸発生剤から成るフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクする段階、このパターン面に紫外線を照射する段階、及び該フォトレジスト層を現像液で処理する現像段階から成り、該現像液が下式
MO−R−X
(式中、Mはアルカリ金属又はアルカリ土類金属、Rはアルキレン基、Xは1級アミノ基(−NH↓2)を表す。)で表される金属アルコキシドと極性溶媒を含み、該極性溶媒がアルコール類である反応現像画像形成法。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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