| 出願番号 |
特願2005-115261 |
| 出願日 |
2005/4/13 |
| 出願人 |
国立大学法人横浜国立大学 |
| 公開番号 |
特開2006-293111 |
| 公開日 |
2006/10/26 |
| 登録番号 |
特許第4590634号 |
| 特許権者 |
国立大学法人横浜国立大学 |
| 発明の名称 |
反応現像画像形成法 |
| 技術分野 |
情報・通信、有機材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
半導体集積回路、プリント配線基板、液晶パネル、光導波路等の製造に用いることのできるフォトレジスト技術 |
| 目的 |
半導体集積回路、プリント配線基板、液晶パネル又は光導波路の製造に用いることのできるフォトレジスト技術の分野において、反応現像画像形成法の改良に関し、現像が容易であり、かつそのパターンの強度が高いという特長を有する技術の提供。 |
| 効果 |
ポリエステルイミドは主鎖にエステル結合を持ち、このエステル結合がベンゼン環などの芳香環又はスルホン基などの電子吸引性置換基が結合した芳香環と結合する構造を持つ。このような構造を持つポリエステルイミドのエステル結合は、アミンの求核置換反応を起こし易くし、現像を容易にし、かつそのパターンの強度を高くすることができる。 |
技術概要
 |
基板上にフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクし、このパターン面に紫外線を照射し、その後この層をアルカリを含む溶剤で洗浄することから成る現像画像形成法において、該フォトレジスト層が下式
【化１】
（式中、Ｒ↑１は、芳香環又は−Ｒ↑３−Ｘ−Ｒ↑４−（式中、Ｒ↑３及びＲ↑４は、それぞれ同じであっても異なってもよく、芳香環を表し、Ｘはスルフィド基（−Ｓ−）、スルホキシド基（−ＳＯ−）、スルホン基（−ＳＯ↓２−）、カルボニル基（Ｃ＝Ｏ）又はアルキレン基を表す。）を表し、Ｒ↑２はヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基を表し、ｎはこのポリマーの分子量に相当する数を表す。）で表されるポリエステルイミドと光酸発生剤とから成る反応現像画像形成法。 |
| イメージ図 |
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| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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