| 出願番号 |
特願2007-122964 |
| 出願日 |
2007/5/8 |
| 出願人 |
国立大学法人横浜国立大学 |
| 公開番号 |
特開2007-328333 |
| 公開日 |
2007/12/20 |
| 登録番号 |
特許第5110507号 |
| 特許権者 |
国立大学法人横浜国立大学 |
| 発明の名称 |
反応現像画像形成法 |
| 技術分野 |
情報・通信、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、検査・検出 |
| 適用製品 |
半導体集積回路、プリント配線基板又は液晶パネル等の製造に用いることのできるフォトレジスト技術 |
| 目的 |
「反応現像画像形成法」の改良方法として、ネガ型フォトレジストを効率的に製造する。 |
| 効果 |
基板上に上記の方法によって形成されたフォトレジスト層を有し、該フォトレジスト層の膜厚が０．１〜５００μｍであるネガ型フォトレジスト構造物である。このフォトレジスト層として所望のパターンのレリーフ構造を形成することができる。 |
技術概要
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基板上に、ヘテロ原子に結合したカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）を主鎖に含む縮合型ポリマー、Ｎ−置換マレイミド化合物などのアニオン再生剤及びジアゾナフトキノンなどの光酸発生剤を含むフォトレジスト層を設け、所望のパターンでマスクし、このパターン面に紫外線を照射して、テトラ置換アンモニウムヒドロキシド、低分子アルコール及び水を含む溶媒から成る現像液を用いて現像すると、紫外線照射後の露光部と非露光部の現像液に対する溶解性に顕著な差がある。その結果ネガ型のフォトレジストを形成することができる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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