| 出願番号 |
特願2006-244056 |
| 出願日 |
2006/9/8 |
| 出願人 |
国立大学法人横浜国立大学 |
| 公開番号 |
特開2008-063195 |
| 公開日 |
2008/3/21 |
| 登録番号 |
特許第5017642号 |
| 特許権者 |
国立大学法人横浜国立大学 |
| 発明の名称 |
ＭＣＭ−６８のトポロジーを持つ結晶性多孔質シリケート及びその製法 |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料 |
| 機能 |
検査・検出 |
| 適用製品 |
ゼオライトＭＣＭ−６８のトポロジーを有し、Ａｌを全く含まない結晶性多孔質シリケート及びその製法 |
| 目的 |
ゼオライトＭＣＭ−６８のトポロジーを有し、Alを全く含まない結晶性多孔質シリケート及びその製法を提供する。 |
| 効果 |
Ａｌを全く含まない結晶性多孔質シリケートは、粉末Ｘ線回折のピークが鋭く（半値幅が狭い）、結晶性が高いため、熱安定性、水熱安定性が高く、耐久性に優れた材料となりうる。欠損をＳｉ原子で埋めれば、ＭＣＭ−６８トポロジーをもち、なおかつ全シリカ組成をもつシリケートとなる。また、欠損を部分的にＳｉ原子で埋め、残った欠損をさらに他の金属原子で埋めれば、ＭＣＭ−６８の骨格をもつ各種メタロシリケートが得られる。 |
技術概要
 |
組成式Ｒ↓４Ｓｉ↓（１１２−ｎ）Ｏ↓（２３２−ｍ）Ｈ↓（８＋４ｎ−２ｍ）（式中、ｎ＝０〜１２、ｍ＝０〜ｎ、ＲはＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラアルキルビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３：５，６−ジピロリジニウム（但し、アルキル基は、その炭素数が４以下であり、同じであっても異なってもよい。）で表され、下記の値を含むＸ線回折パターンをもつ合成したままの（as-synthesized）結晶性多孔質シリケート。
2θ（単位：度）＝6.88±0.10、8.16±0.10、8.84±0.10、9.72±0.10、19.48±0.10、21.82±0.10、22.70±0.10、23.24±0.10、ただし、2θ＝23.24±0.10のピークの半値幅は0.20度以下である。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)