光デバイス及び光デバイスの製造方法

開放特許情報番号
L2020000334
開放特許情報登録日
2020/2/14
最新更新日
2020/2/14

基本情報

出願番号 特願2017-002562
出願日 2017/1/11
出願人 国立大学法人 和歌山大学
公開番号 特開2018-113324
公開日 2018/7/19
発明の名称 光デバイス及び光デバイスの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 光デバイス及び光デバイスの製造方法
目的 新規な広帯域化を達成する光デバイスの量子構造を提供する。
効果 950nm以上であり、1000nm付近の発光中心波長を有することができるとともに、広帯域であって、十分な輝度を有する半導体材料となっており、従来の量子構造では得られない特性を有する。
技術概要
半導体薄膜を備え、前記半導体薄膜は、平均膜厚が臨界膜厚未満であり、3次元構造の界面を有する
光デバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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