半導体レーザ

開放特許情報番号
L2020000321
開放特許情報登録日
2020/2/10
最新更新日
2020/2/10

基本情報

出願番号 特願2008-075862
出願日 2008/3/24
出願人 国立大学法人横浜国立大学
公開番号 特開2009-231578
公開日 2009/10/8
登録番号 特許第5152721号
特許権者 国立大学法人横浜国立大学
発明の名称 半導体レーザ
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体レーザ
目的 二次元フォトニック結晶を用いた半導体レーザにおいて、単純で造りやすい構造によって、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。
効果 二次元フォトニック結晶を用いた半導体レーザにおいて、単純で造りやすい構造によって、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとすることができる。
技術概要
活性層もしくは当該活性層の上方あるいは下方に形成した積層に形成された二次元フォトニック結晶を有する面発光半導体レーザにおいて、
前記二次元フォトニック結晶は、一様な周期構造を有する内面部と当該内面部の周囲を囲む4辺の端部とからなる矩形領域を有し、
前記矩形領域は、2組の互いに対向する2辺の端部において、内面部を挟んで対向する2辺の端部は互いに異なる構造を有し、互いに対向する2辺の端部は前記内面部に対して互いに非対称な構造であり、
前記非対称な構造は、フォトニック結晶の面内で共振する光の位相をずらし単峰性の出射ビームを形成することを特徴とする面発光半導体レーザ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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