磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法

開放特許情報番号
L2020000305
開放特許情報登録日
2020/2/7
最新更新日
2020/2/7

基本情報

出願番号 特願2017-124316
出願日 2017/6/26
出願人 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
公開番号 特開2019-009304
公開日 2019/1/17
発明の名称 磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 磁気メモリ素子、および磁気メモリ素子の情報の書き込み及び読み取り方法
目的 室温で電場による情報の書き込み及び読み取りが可能な磁気メモリ素子の提供。
効果 室温で電場を印加することにより磁化反転させることによって、情報の書き込み、読み取りを行うことが可能であり、消費電力の大幅な低下が可能である。
技術概要
ペロブスカイト構造を有し、擬立方表記で格子定数が3.90〜3.97Åである化合物からなる基板と、
前記基板上に配置された下部電極と、
前記下部電極上に配置された、下記式(1)で表される化合物からなり、厚さが200nm〜1000nmである薄膜と、
前記薄膜上に配置された上部電極と、
を含むことを特徴とする磁気メモリ素子。
BiFe↓1−xA↓xO↓3・・・(1)
[式(1)中、AはCoまたはMnであり、xは0.05≦x<0.25を満たす。]
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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