反応現像画像形成法及びそのための組成物

開放特許情報番号
L2020000283
開放特許情報登録日
2020/2/5
最新更新日
2020/2/5

基本情報

出願番号 特願2011-104004
出願日 2011/5/9
出願人 国立大学法人横浜国立大学
公開番号 特開2012-234104
公開日 2012/11/29
登録番号 特許第5694043号
特許権者 国立大学法人横浜国立大学
発明の名称 反応現像画像形成法及びそのための組成物
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 半導体集積回路、プリント配線基板又は液晶パネルの製造に用いることのできるフォトレジスト技術
目的 ポリカーボネート樹脂及び光酸発生剤を用いて成膜(フォトレジスト層)し、所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に紫外線を照射し、その後現像液として有機溶媒を含まない水溶液を用いて現像することにより、十分なフォトレジストを得ることのできる反応現像画像形成法及びそのための組成物を提供する。
効果 有機アミンや有機溶媒を用いずに、現像液としてアルカリ水溶液を用いる現像処理により、ポリカーボネート樹脂の微細パターンが形成できる。
現像液として無機アルカリ水溶液を用いた場合には、カチオンに有機成分を含むアルカリである水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の水溶液を用いた場合に比べて、同じ濃度ではより現像時間が短く、また同じ現像時間ではより低濃度での現像が可能である。
フォトレジスト層に酸性化合物を添加することにより、現像時間をより短縮できる。
技術概要
所望のパターンでマスクされたフォトレジスト層に紫外線を照射し、その後この層をアルカリを含む水溶液で洗浄することから成る現像画像形成法であって、該フォトレジスト層がポリカーボネート樹脂、下式
【化1】

(式中、Xは、それぞれ独立して、−OD基(式中、Dはキノンジアジド構造を有する有機基を表す。)、水酸基、アルキル基又はアルコキシ基を表し、但し、当該分子中に少なくとも1つの−OD基及び少なくとも1つの水酸基を含み、R↑1は、単結合又は−(R↑3)n−(R↑4)o−(式中、R↑3はアリーレン基を表し、R↑4はアルキレン基を表し、nは0又は1を表し、oは0又は1を表す。)を表し、R↑2は、水素原子、アルキル基又は−COR↑5(式中、R↑5はアルキル基又はアリール基を表す。)を表し、mは1〜3の整数を表し、pは1〜4の整数を表し、qは0〜3の整数を表し、但しp+q=4であり、mとpは当該分子中にXが少なくとも2つあるように選択される。)で表される化合物から成る光酸発生剤及び下式
【化2】

の化合物から成ることを特徴とする反応現像画像形成法。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2020 INPIT