単一磁束量子回路及び単一磁束量子回路動作方法

開放特許情報番号
L2020000207
開放特許情報登録日
2020/1/29
最新更新日
2020/1/29

基本情報

出願番号 特願2013-179205
出願日 2013/8/30
出願人 国立大学法人横浜国立大学
公開番号 特開2015-050512
公開日 2015/3/16
登録番号 特許第6210410号
特許権者 国立大学法人横浜国立大学
発明の名称 単一磁束量子回路及び単一磁束量子回路動作方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 単一磁束量子回路及び単一磁束量子回路動作方法
目的 交流信号を要することなく、静的な消費電力を低減できる単一磁束量子回路を提供する。
効果 磁動作速度を低下させることなく静的な消費電力を低減できる単一磁束量子回路を提供することができる。
技術概要
ジョセフソン接合を有し、入力パルスが供給されて自身を流れる電流が臨界電流値を超えた場合に、超伝導状態から常伝導状態へと状態遷移して出力パルスを出力する接合部と、
超伝導特性を有する配線のみからなり、前記接合部に前記臨界電流値以下の直流のバイアス電流を供給するバイアス部と、
前記出力パルスが出力された際に生じる電流であって前記バイアス電流と逆の方向に流れる逆電流を受けて、当該逆電流を生じさせる滞留磁束を前記バイアス部から放出する滞留磁束放出部と、
前記滞留磁束放出部と磁気結合し、当該滞留磁束放出部に循環電流を生じさせる超電導量子干渉素子調整用配線と、
を備え、
前記滞留磁束放出部は、
臨界電流値が互いに異なる2つのジョセフソン接合を有する超伝導量子干渉素子で構成され、
前記バイアス電流が流れる場合には、前記2つのジョセフソン接合は、ともに超伝導状態から常伝導状態への状態遷移をせず、前記逆電流が流れる場合には、前記2つのジョセフソン接合の何れか一方において前記状態遷移がなされる
ことを特徴とする単一磁束量子回路。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2020 INPIT