超伝導集積回路装置

開放特許情報番号

L2020000197

開放特許情報登録日

2020/1/29

最新更新日

2020/1/29

基本情報

出願番号	特願2014-181355
出願日	2014/9/5
出願人	国立大学法人横浜国立大学
公開番号	特開2016-058441
公開日	2016/4/21
登録番号	特許第6396726号
特許権者	国立大学法人横浜国立大学
発明の名称	超伝導集積回路装置
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	超伝導集積回路装置、超伝導集積回路に対するバイアス電流の供給および引き抜き
目的	バイアス戻り電流による超伝導集積回路への影響を低減する。
効果	バイアス戻り電流のグランド面での広がりを縮小することによって、不要磁場の発生を抑制し、バイアス戻り電流による超伝導集積回路への影響を低減することができる。
技術概要	積層された複数の配線層で構成される少なくとも一つの超伝導集積回路と、 配線層の少なくとも何れかの一つの層と層間接続されたグランド面と、 超伝導集積回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給パッドと、 グランド面からバイアス戻り電流を引き抜くバイアス電流引き抜きパッドと、 バイアス電流供給パッドと超伝導集積回路を構成する配線層との間は電気的に接続され、バイアス電流供給パッドから超伝導集積回路にバイアス電流を供給するバイアス電流供給線と、 バイアス電流引き抜きパッドと、グランド面又はグランド面と層間接続された配線層との間は電気的に接続され、グランド面からバイアス戻り電流を引き抜くバイアス電流引き抜き線とを備え、 バイアス電流供給線による超伝導集積回路へのバイアス電流の供給、及びバイアス電流引き抜き線によるグランド面からのバイアス戻り電流の引き抜きは、超伝導集積回路およびグランド面を平面視した際に同一点で行われ、 バイアス電流供給線とバイアス電流引き抜き線とは同じ配線幅であり、積層方向において重なる位置で対向配置されることを特徴とする、超伝導集積回路装置。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人横浜国立大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】