断熱型量子磁束パラメトロン回路及び超伝導論理素子

開放特許情報番号
L2020000169
開放特許情報登録日
2020/1/24
最新更新日
2020/1/24

基本情報

出願番号 特願2015-081036
出願日 2015/4/10
出願人 国立大学法人横浜国立大学
公開番号 特開2016-201697
公開日 2016/12/1
登録番号 特許第6563239号
特許権者 国立大学法人横浜国立大学
発明の名称 断熱型量子磁束パラメトロン回路及び超伝導論理素子
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 断熱型量子磁束パラメトロン回路(AQFP回路)及び超伝導論理素子
目的 超伝導トランスの一次側インダクタンスと二次側インダクタンスとの間の結合係数を低下させることなく、断熱型量子磁束パラメトロン回路内の不要な浮遊的磁気結合による影響を抑制する。
効果 超伝導トランスの一次側インダクタンスと二次側インダクタンスとの間の結合係数を低下させることなく、断熱型量子磁束パラメトロン回路内の不要な浮遊的磁気結合による影響を抑制することができる。
技術概要
超伝導リングに中心ノードを挟んで二つのジョセフソン接合を有する超伝導量子干渉素子(SQUID)と、前記超伝導量子干渉素子に磁束を誘起させる電源線と、前記超伝導量子干渉素子の電流を出力する超伝導トランスとを備えた断熱型量子磁束パラメトロン回路であって、
前記超伝導トランスは、それぞれ一次側配線及び二次側配線を有する一対のトランス部を備え、
前記一対のトランス部は、
前記一次側配線の一対の配線は、当該一対の配線の両入力端を前記超伝導量子干渉素子の中心ノードに接続すると共に、前記電源線との磁気結合によって一次側配線の一対の配線に誘導される電流の方向を前記一対の配線の入力端に対して互いに逆方向とし、
前記二次側配線の一対の配線は、当該一対の配線の両出力端を前記断熱型量子磁束パラメトロン回路の出力端に接続すると共に、前記電源線との磁気結合によって二次側配線の一対の配線に誘導される電流の方向を前記一対の配線の出力端に対して互いに逆方向とすることを特徴とする、断熱型量子磁束パラメトロン回路。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2020 INPIT