| 出願番号 |
特願2017-160677 |
| 出願日 |
2017/8/23 |
| 出願人 |
東京都公立大学法人 |
| 公開番号 |
特開2019-040964 |
| 公開日 |
2019/3/14 |
| 登録番号 |
特許第7072204号 |
| 特許権者 |
東京都公立大学法人 |
| 発明の名称 |
半導体素子の製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
伝導相が異なる領域を二次元内に、微細、精密かつ自在にパターニングすることのできる半導体素子の製造方法、伝導相が異なる領域を二次元内に微細、精密かつ自在にパターニングされた半導体素子 |
| 目的 |
構造転移技術の空間分解能や制御性を改善して、伝導相が異なる領域を二次元内に微細、精密かつ自在にパターニングが可能な半導体素子の製造方法、及びそのような伝導相が異なる領域を二次元内に微細、精密かつ自在にパターニングされた半導体素子を提供する。 |
| 効果 |
半導体相と金属相の領域を二次元内（基板上の表面等）に微細、精密かつ自在にパターニングが可能な半導体素子の製造方法、及び半導体相と金属相の領域を二次元内に微細、精密かつ自在にパターニングされた半導体素子を提供することができる。 |
技術概要
 |
少なくとも一部に金属相を有する厚さ１ｎｍ以上の半導体素子を製造する方法であって、
素子前駆体の所望の箇所に、電場を印加した状態で近接場を照射することにより、該所望の箇所における半導体相を金属相に構造を転移させる、照射工程を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)