半導体素子の製造方法、及び半導体素子

開放特許情報番号
L2020000147
開放特許情報登録日
2020/1/22
最新更新日
2020/1/22

基本情報

出願番号 特願2017-160677
出願日 2017/8/23
出願人 公立大学法人首都大学東京
公開番号 特開2019-040964
公開日 2019/3/14
発明の名称 半導体素子の製造方法、及び半導体素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 伝導相が異なる領域を二次元内に、微細、精密かつ自在にパターニングすることのできる半導体素子の製造方法、伝導相が異なる領域を二次元内に微細、精密かつ自在にパターニングされた半導体素子
目的 構造転移技術の空間分解能や制御性を改善して、伝導相が異なる領域を二次元内に微細、精密かつ自在にパターニングが可能な半導体素子の製造方法、及びそのような伝導相が異なる領域を二次元内に微細、精密かつ自在にパターニングされた半導体素子を提供する。
効果 半導体相と金属相の領域を二次元内(基板上の表面等)に微細、精密かつ自在にパターニングが可能な半導体素子の製造方法、及び半導体相と金属相の領域を二次元内に微細、精密かつ自在にパターニングされた半導体素子を提供することができる。
技術概要
少なくとも一部に金属相を有する厚さ1nm以上の半導体素子を製造する方法であって、
素子前駆体の所望の箇所に、電場を印加した状態で近接場を照射することにより、該所望の箇所における半導体相を金属相に構造を転移させる、照射工程を具備することを特徴とする半導体素子の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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