マグネシウム二次電池用正極活物質、マグネシウム二次電池用正極活物質の製造方法、及びマグネシウム二次電池

開放特許情報番号
L2020000021
開放特許情報登録日
2020/1/13
最新更新日
2020/1/13

基本情報

出願番号 特願2018-096950
出願日 2018/5/21
出願人 学校法人慶應義塾
公開番号 特開2018-200869
公開日 2018/12/20
発明の名称 マグネシウム二次電池用正極活物質、マグネシウム二次電池用正極活物質の製造方法、及びマグネシウム二次電池
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 マグネシウム二次電池用正極活物質、マグネシウム二次電池用正極活物質の製造方法、及びマグネシウム二次電池
目的 高放電電位を得ることができるマグネシウム二次電池用正極活物質、マグネシウム二次電池用正極活物質の製造方法、及びマグネシウム二次電池を提供する。
効果 高放電電位を得ることができるマグネシウム二次電池用正極活物質、マグネシウム二次電池用正極活物質の製造方法、及びマグネシウム二次電池を提供することができる。
技術概要
下式(1)で表される組成からなり、空間群Fd3mに属するスピネル構造を示し、形状異方性を有するプレート状単結晶であり、ある特定の結晶面が表裏で対向する二つの主面を占め、該主面と直交する方向での厚さTが20nm以下であるマグネシウム二次電池用正極活物質。
Mg↓xM↓(3−x)O↓4・・・(1)
(式(1)中、Mは、Mn、Co、Ni及びFeから選ばれる1種以上の元素であり、xは0.6≦x≦1.4である。)
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人慶應義塾

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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