低残留応力、低誘電率、耐薬品性無機膜形成用組成物

開放特許情報番号
L2020000020
開放特許情報登録日
2020/1/9
最新更新日
2020/1/9

基本情報

出願番号 特願2008-558085
出願日 2008/2/12
出願人 JSR株式会社
公開番号 WO2008/099811
公開日 2008/8/21
登録番号 特許第5170445号
特許権者 JSR株式会社
発明の名称 ケイ素含有膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法
技術分野 電気・電子、無機材料、化学・薬品
機能 材料・素材の製造、表面処理、洗浄・除去
適用製品 絶縁材料、耐薬表面処理剤、ハードコート
目的 耐薬品性、低誘電率、低残留応力の無機膜を形成する
効果 低残留応力の無機膜を形成でき、対象物表面の絶縁性や耐薬品性を高めることができる。
技術概要
疎水性側鎖を有するゾルゲルモノマーを硬化させて低残留応力、低誘電率、撥水性の無機膜を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
対価条件(一時金) 【要】応相談
希望譲渡先(国内) 【可】 
特許権実施許諾 【可】
実施権条件 料率3%(用途に応じて相談可)、初年度(頭金)10万円、継続ミニマム10万円/年
対価条件(一時金) 【要】10万円
対価条件(ランニング) 【要】料率3%(用途に応じて相談可)、継続ミニマム10万円/年
希望譲渡先(国内) 【可】 

アピール情報

導入メリット 【改善】
改善効果1 低残留応力の無機膜を形成できる
改善効果2 表面の耐薬品性を向上できる。
改善効果3 表面の絶縁性を高められる
アピール内容 高い疎水性を持つため耐薬品性に優れ、絶縁性の高い表面修飾を実現できる。

登録者情報

登録者名称 JSR株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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