出願番号 |
特願2008-558085 |
出願日 |
2008/2/12 |
出願人 |
JSR株式会社 |
公開番号 |
WO2008/099811 |
公開日 |
2008/8/21 |
登録番号 |
特許第5170445号 |
特許権者 |
JSR株式会社 |
発明の名称 |
ケイ素含有膜形成用材料、ならびにケイ素含有絶縁膜およびその形成方法 |
技術分野 |
電気・電子、無機材料、化学・薬品 |
機能 |
材料・素材の製造、表面処理、洗浄・除去 |
適用製品 |
絶縁材料、耐薬表面処理剤、ハードコート |
目的 |
耐薬品性、低誘電率、低残留応力の無機膜を形成する |
効果 |
低残留応力の無機膜を形成でき、対象物表面の絶縁性や耐薬品性を高めることができる。 |
技術概要
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疎水性側鎖を有するゾルゲルモノマーを硬化させて低残留応力、低誘電率、撥水性の無機膜を形成する。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【可】
対価条件(一時金) |
【要】応相談 |
希望譲渡先(国内) |
【可】 |
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特許権実施許諾 |
【可】
実施権条件 |
料率3%(用途に応じて相談可)、初年度(頭金)10万円、継続ミニマム10万円/年 |
対価条件(一時金) |
【要】10万円 |
対価条件(ランニング) |
【要】料率3%(用途に応じて相談可)、継続ミニマム10万円/年 |
希望譲渡先(国内) |
【可】 |
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