六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法

開放特許情報番号
L2019002342
開放特許情報登録日
2019/12/23
最新更新日
2019/12/23

基本情報

出願番号 特願2018-560410
出願日 2018/1/5
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2018/128193
公開日 2018/7/12
発明の名称 六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法
技術分野 無機材料、化学・薬品、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法および六方晶窒化ホウ素薄膜を含む積層体、触媒としての金属膜を用いた六方晶窒化ホウ素薄膜とその製造方法
目的 大面積で、1 nm以上の均一な厚さを有し、かつグレインバウンダリーの少ない六方晶窒化ホウ素薄膜を安価に製造することができる、エレクトロニクスへの応用などの工業的な利用に適した新規な六方晶窒化ホウ素薄膜の製造方法と六方晶窒化ホウ素薄膜を提供する。
効果 大面積に厚さが均一で結晶性の高い六方晶窒化ホウ素薄膜を得ることができる。
また、高品質で厚さの均一な六方晶窒化ホウ素の薄膜を大面積かつ低コストに得ることができ、グラフェンや遷移金属カルコゲナイド、黒リン、シリセンなど様々な原子層材料の工業的な利用に適した新規な六方晶窒化ホウ素薄膜が提供される。
技術概要
厚さが1nm以上であり、ラマンスペクトルにより得られるE↓2gピークの半値幅の平均値が9〜20cm↑−1である六方晶窒化ホウ素薄膜。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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