| 出願番号 |
特願2010-007009 |
| 出願日 |
2004/9/27 |
| 出願人 |
秋田県 |
| 公開番号 |
特開2010-143822 |
| 公開日 |
2010/7/1 |
| 登録番号 |
特許第5198483号 |
| 特許権者 |
秋田県 |
| 発明の名称 |
ＷＣ−ＳｉＣ系焼結体の製造方法 |
| 技術分野 |
化学・薬品、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
Ｃｏの替わりに、ＳｉＣを添加して焼結することにより、高硬度、高ヤング率、高破壊靭性値を有するＷＣ−ＳｉＣ系複合体及びその製造方法 |
| 目的 |
硬度とヤング率の低下を引き起こすCoを添加せずに、高硬度、高ヤング率及び高破壊靭性値を備えたWC-SiC系複合体及びその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
硬度とヤング率の低下を引き起こすCoを添加する必要がなく、より低温での焼結が可能であり、さらに高硬度、高ヤング率、高破壊靭性値を有するという優れた効果を有する。 |
技術概要
 |
1〜30vol.％SiCウイスカーと残部WC粉からなる混合粉を、焼結温度1550〜1750°Cで焼結することを特徴とする高硬度、高ヤング率、高破壊靭性値を有するWC-SiC系焼結体の製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【有】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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