窒化銅半導体およびその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2019002008
- 開放特許情報登録日
- 2019/12/9
- 最新更新日
- 2020/7/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-015961 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/1/29 |
| 出願人 | 国立大学法人東京工業大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/8/3 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人東京工業大学 |
| 発明の名称 | 窒化銅半導体およびその製造方法 |
| 技術分野 | 電気・電子、化学・薬品、金属材料 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 窒化銅半導体およびその製造方法 |
| 目的 | 高い結晶性を有し、キャリア極性、濃度および移動度の制御性に優れた窒化銅半導体を提供する。 |
| 効果 | 高い結晶性を有し、キャリア極性、濃度および移動度の制御性に優れた、窒化銅半導体薄膜等の窒化銅半導体を提供し得る。 |
技術概要) |
正孔および電子移動度が１ｃｍ↑２/Ｖｓ以上である窒化銅半導体。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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