光バッファ素子構造、その製造方法、およびその解析方法

開放特許情報番号
L2019002007
開放特許情報登録日
2019/12/9
最新更新日
2019/12/9

基本情報

出願番号 特願2016-164148
出願日 2016/8/24
出願人 国立大学法人東京工業大学
公開番号 特開2018-031896
公開日 2018/3/1
発明の名称 光バッファ素子構造、その製造方法、およびその解析方法
技術分野 情報・通信
機能 食品・飲料の製造
適用製品 光バッファ素子構造、その製造方法、およびその解析方法
目的 既存のシリコン系集積素子との整合性が良好な光バッファ素子構造、その製造方法、およびその解析方法を提供する。
効果 既存のシリコンコアを備えるシリコン系集積素子と組み合わせて利用する際の整合性が良好な光バッファ素子構造、その製造方法、およびその解析方法が提供される。
技術概要
クラッドに囲まれて光を伝搬するシリコンコアを有する光導波路を備え、
前記光導波路は、前記シリコンコアの上面部に凸部を有して、
前記凸部に隣接して、負のグースヘンシェンシフトを示すメタマテリアルを備えたことを特徴とする光バッファ素子構造。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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