窒化銅半導体およびその製造方法

開放特許情報番号
L2019002005
開放特許情報登録日
2019/12/9
最新更新日
2019/12/9

基本情報

出願番号 特願2017-041774
出願日 2017/3/6
出願人 国立大学法人東京工業大学
公開番号 特開2018-148031
公開日 2018/9/20
発明の名称 窒化銅半導体およびその製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料、化学・薬品
機能 材料・素材の製造
適用製品 窒化銅半導体およびその製造方法
目的 高い結晶性を有し、高いホール効果移動度を有する窒化銅半導体を提供する。窒化銅半導体薄膜をフッ素ドープ処理することにより、p型の伝導型を示し、結晶性の改良された窒化銅半導体薄膜の製造方法を提供する。
効果 高い結晶性を有し、高いホール効果移動度を有する窒化銅半導体、好適にはp型の窒化銅半導体を提供し得る。
技術概要
フッ素を不純物として含有する窒化銅半導体。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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