窒化銅半導体およびその製造方法

基本情報

出願番号	特願2017-041774
出願日	2017/3/6
出願人	国立大学法人東京工業大学
公開番号	特開2018-148031
公開日	2018/9/20
登録番号	特許第6951734号
特許権者	国立大学法人東京工業大学
発明の名称	窒化銅半導体およびその製造方法
技術分野	電気・電子、金属材料、化学・薬品
機能	材料・素材の製造
適用製品	窒化銅半導体およびその製造方法
目的	高い結晶性を有し、高いホール効果移動度を有する窒化銅半導体を提供する。窒化銅半導体薄膜をフッ素ドープ処理することにより、ｐ型の伝導型を示し、結晶性の改良された窒化銅半導体薄膜の製造方法を提供する。
効果	高い結晶性を有し、高いホール効果移動度を有する窒化銅半導体、好適にはｐ型の窒化銅半導体を提供し得る。
技術概要	フッ素を不純物として含有する窒化銅半導体。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人東京工業大学