薄膜トランジスタおよびその製造方法

開放特許情報番号

L2019001836

開放特許情報登録日

2019/10/16

最新更新日

2019/10/16

基本情報

出願番号	特願2014-215355
出願日	2014/10/22
出願人	日本放送協会
公開番号	特開2016-082198
公開日	2016/5/16
登録番号	特許第6501385号
特許権者	日本放送協会
発明の名称	薄膜トランジスタおよびその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造
適用製品	薄膜トランジスタおよびその製造方法
目的	ガリウムを含まない酸化物半導体層を有し、しかも高い移動度を有する薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
効果	酸化物半導体層が、酸化インジウムタングステン亜鉛で形成されている。したがって、酸化物半導体層の材料として、ガリウムを含まない。また、酸化物半導体層が酸化インジウムタングステン亜鉛で形成されているので、高い移動度を有する薄膜トランジスタが得られる。
技術概要	ゲート電極と、ゲート絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極とを有し、 前記酸化物半導体層が、酸化インジウムタングステン亜鉛で形成され、前記ソース電極および前記ドレイン電極が、金属層を複数積層してなる積層構造を有し、前記金属層がＡｌ、Ｍｏ、それらの合金のうちいずれかからなり、 前記ゲート電極が基板上に設けられ、 前記ゲート電極上に、前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層が設けられ、 前記ソース電極が、前記酸化物半導体層上の一部に平面視で重なり合って接しており、 前記ドレイン電極が、前記ソース電極と離間して配置され、前記酸化物半導体層上の一部に平面視で重なり合って接していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	一般財団法人　ＮＨＫ財団

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】