Ｒｕ成膜方法、Ｒｕ成膜装置、金属成膜装置、Ｒｕバリアメタル層、配線構造
- 開放特許情報番号
- L2019001706
- 開放特許情報登録日
- 2019/9/27
- 最新更新日
- 2021/1/20
基本情報
| 出願番号 | 特願2016-086074 |
|---|---|
| 出願日 | 2016/4/22 |
| 出願人 | 国立大学法人茨城大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/10/26 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人茨城大学 |
| 発明の名称 | Ｒｕ成膜方法、Ｒｕ成膜装置 |
| 技術分野 | 金属材料、電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | ルテニウム（Ｒｕ）の成膜方法、成膜装置、及び金属の成膜装置、半導体ウェハにおいて用いられるＲｕバリアメタル層、及びこれが用いられる配線構造 |
| 目的 | 緻密な構造のＲｕ層（金属層）を低温で成膜できることが望まれた点を解決する発明を提供する。 |
| 効果 | 緻密な構造のＲｕ層（金属層）を低温で成膜することができる。 |
技術概要) |
ルテニウム（Ｒｕ）を主成分とするＲｕ層をスパッタリング法によって基板上に成膜するＲｕ成膜方法であって、
圧力が５×１０↑-４Ｔｏｒｒ〜２×１０↑-３Ｔｏｒｒの範囲とされたアルゴン（Ａｒ）雰囲気下において、前記基板と、Ｒｕを主成分とするスパッタリングターゲットとを上下方向において対向させて配置し、 前記スパッタリングターゲット側と前記基板側の間において、前記基板側を負として直流電力を印加すると共に、 前記スパッタリングターゲットに隣接して設けられ、前記スパッタリングターゲット側と前記基板側の間に前記直流電力が印加されない場合においても前記Ａｒをプラズマ化可能なプラズマ補助手段に対して電力を供給し、 前記基板の温度を４００℃以下として前記Ｒｕ層を成膜することを特徴とするＲｕ成膜方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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