超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置

開放特許情報番号
L2019001699
開放特許情報登録日
2019/9/27
最新更新日
2019/9/27

基本情報

出願番号 特願2015-183828
出願日 2015/9/17
出願人 国立大学法人茨城大学
公開番号 特開2016-164965
公開日 2016/9/8
発明の名称 超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置
目的 配線溝内の銅配線に不純物が入らないようにして結晶性を向上させることにより、超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置を提供する。
効果 配線溝内の銅配線に不純物が入らないようにして結晶性を向上させることにより、超低抵抗率銅配線を有する半導体集積回路装置を提供することができる。
技術概要
半導体集積回路装置において電気メッキ及び熱処理によって銅配線における銅結晶粒を成長させるにあたり、銅との親和性が高く、かつ、塩素酸化物との親和性も高い元素を、銅の結晶粒界の移動をピン止め効果によって阻害する不純物として特定する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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