| 出願番号 |
特願2016-552162 |
| 出願日 |
2015/10/1 |
| 出願人 |
国立大学法人茨城大学 |
| 公開番号 |
WO2016/052700 |
| 公開日 |
2016/4/7 |
| 登録番号 |
特許第6579551号 |
| 特許権者 |
国立大学法人茨城大学 |
| 発明の名称 |
合金接合材による接合層構造及びその形成方法、並びに該接合層構造を有する半導体装置及びその製造方法 |
| 技術分野 |
機械・加工、金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
合金接合材による接合層構造及びその形成方法、並びに該接合層構造を有する半導体装置及びその製造方法 |
| 目的 |
接合材としての濡れ性を十分に確保しつつ、且つ、高温の接合強度が高く、応力緩和効果によって接続信頼性の向上を図ることができる合金接合材による接合層構造及びその形成方法、並びに該接合層構造を有する半導体装置及びその製造方法。 |
| 効果 |
ＳｉＣ、ＧａＮ、Ｃ（ダイヤモンド）及びＧａ２Ｏ３等のワイドギャップ半導体素子を実装した半導体装置は、パワーデバイス又はパワーエレクトロニクス製品等で求められる耐熱性の要求に答えることができ、２００℃以上、特に２５０℃以上の高温使用環境において長期間の使用に耐えることが可能になる。 |
技術概要
 |
被接合材ＡとＢとを合金接合材によって接合し形成される接合層の構造であって、
前記合金接合材がＺｎ-Ａｌ共析系合金であり、且つ
前記被接合材Ａ及びＢと前記合金接合材とのそれぞれの接合面において、どちらか小さな面積を有する方の被接合材の接合面内、又はどちらとも同じ面積を有する被接合材の接合面内に存在する接合層に含まれるＡｌリッチ相（α相）のデンドライドアームスペーシング（ＤＡＳ）が０．０６μｍを超え、０．３μｍ未満であることを特徴とする合金接合材による接合層構造。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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