| 出願番号 |
特願2012-124608 |
| 出願日 |
2012/5/31 |
| 出願人 |
国立大学法人茨城大学 |
| 公開番号 |
特開2013-251380 |
| 公開日 |
2013/12/12 |
| 登録番号 |
特許第5963191号 |
| 特許権者 |
国立大学法人茨城大学 |
| 発明の名称 |
半導体集積回路装置及びその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、金属材料 |
| 機能 |
機械・部品の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
半導体集積回路装置 |
| 目的 |
今後、益々進展するＬＳＩの高集積化、高密度化及び高速化に対して、配線幅の減少に伴う抵抗率の増加と耐エレクトロマイグレーションの低下を従来以上に抑えて、配線層の一層の低抵抗率化を図るとともに、従来と同等以上の耐エレクトロマイグレーション性を確保できる半導体集積回路装置とその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
銅配線のトレンチの底面から前記トレンチの高さの１／４の距離にある部分の平均結晶粒径を大きくするだけでなく、前記トレンチの最上部表面の平均結晶粒径に対する比率を高く規定して、前記トレンチの全領域で平均結晶粒径の拡大を図ることによって、配線層の一層の低抵抗率化を図ることができる。 |
技術概要
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回路素子が形成された半導体基体と、前記半導体基体の主表面上に形成された絶縁層と、少なくとも前記絶縁層を利用して形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成された銅配線とを備え、前記銅配線の線幅が７０ｎｍ以下で、前記銅配線の前記トレンチの底面から前記トレンチの高さの１／４の距離にある部分の平均結晶粒径は、配線幅の１．３倍以上であり、且つ、前記トレンチの最上部表面の平均結晶粒径に対して比率が８５％以上であることを特徴とする半導体集積回路装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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