金属層の結晶粒径及び粒径分布評価方法並びにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

開放特許情報番号

L2019001671

開放特許情報登録日

2019/9/25

最新更新日

2019/9/25

基本情報

出願番号	特願2011-022414
出願日	2011/2/4
出願人	国立大学法人茨城大学
公開番号	特開2012-163392
公開日	2012/8/30
登録番号	特許第5747406号
特許権者	国立大学法人茨城大学
発明の名称	金属層の結晶粒径及び粒径分布評価方法並びにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
技術分野	情報・通信、電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	金属層の結晶粒径及び粒径分布評価方法並びにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法
目的	従来技術の問題点を解消した金属層の結晶粒径及び粒径分布評価方法並びにそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
効果	Ｘ線に対して回折ピークを持つ金属層にＸ線を照射して金属層からの回折ピークを入手し、回折ピークに基づいて結晶粒径の対数正規分布を演算することにより結晶粒径及び粒径分布を非破壊かつ短時間で正確に測定評価することができる。また、本発明は金属層の結晶粒径及び粒径分布を非破壊かつオンラインで短時間に評価できるので、半導体集積回路装置の製造ラインに適用することにより、所望の結晶粒径及び粒径分布を有する金属層を配線として備える半導体集積回路装置を実現できる。
技術概要	多数個の領域に区分され、区分された領域が素子チップ領域及びモニターチップ領域となり、少なくとも前記素子チップ領域にはｐｎ接合が形成された半導体ウエハを準備する工程、 前記半導体ウエハの前記素子チップ領域上に絶縁膜と結晶組織を有し特定の面方位においてＸ線回折ピークを持つ金属からなる配線層を交互に成膜し、前記モニターチップ領域上に前記絶縁膜と前記金属層を必要数成膜する工程、 前記半導体ウエハの前記モニターチップ領域上に形成された前記金属層にＸ線を照射して得られるＸ線回折ピークから前記金属層の結晶粒径及び粒径分布を評価する工程、を備え、 前記結晶粒径及び粒径分布を評価する工程が、前記金属層にＸ線を照射して回折ピークを入手する第１のステップと、前記回折ピークに基づいて面積平均コラム長及び体積平均コラム長を求める第２のステップと、前記面積平均コラム長及び前記体積平均コラム長から結晶粒径の対数正規分布を求める第３のステップと、から成る、 ことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立大学法人　茨城大学

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】