テラヘルツ電磁波発生装置

開放特許情報番号
L2019001666
開放特許情報登録日
2019/9/20
最新更新日
2019/9/20

基本情報

出願番号 特願2010-098684
出願日 2010/4/22
出願人 国立大学法人茨城大学
公開番号 特開2011-228572
公開日 2011/11/10
登録番号 特許第5517127号
特許権者 国立大学法人茨城大学
発明の名称 テラヘルツ電磁波発生装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 テラヘルツ電磁波を効率的に発生することのできるテラヘルツ電磁波発生装置
目的 光伝導膜を有していてもアンテナ性能を向上することができるテラヘルツ電磁波発生装置を提供する。
効果 パルス状の光が照射される光伝導層上に形成されている対向部あるいは切欠部が、第2基板上に形成されているダイポールアンテナの給電部として作用するようになり、対向部あるいは切欠部から給電されたダイポールアンテナからテラヘルツ電磁波が放射されるようになる。この場合、対向部あるいは切欠部が形成されている光伝導層は比誘電率が高くされるが、ダイポールアンテナのエレメントが形成されている第2基板の比誘電率を低くすることができる。放射利得等のアンテナ性能を向上することができるテラヘルツ電磁波発生装置とすることができる。
技術概要
金属板と、
該金属板上に配置され、光が照射された際に自由電子が生じる比誘電率εr1の光伝導層が表面に形成された絶縁性の第1基板と、
前記金属板上に前記第1基板の横に隣接して密着するよう配置された比誘電率εr2の絶縁性の第2基板と、
該第2基板の表面に形成された導電性のダイポールアンテナのエレメントと、
該ダイポールアンテナの給電点から引き出され、前記第2基板の表面から前記第1基板における前記光伝導層上にわたって形成された第1ラインおよび第2ラインと、
前記光伝導層上に形成されている前記第1ラインと前記第2ラインの端部が所定の間隔で対向している対向部と、
該対向部にパルス状の光を照射する光源と、
前記第1ラインと前記第2ラインとの間に電源を印加するバイアス電源とを備え、
比誘電率εr1>比誘電率εr2とされていることを特徴とするテラヘルツ電磁波発生装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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