| 出願番号 |
特願2010-075467 |
| 出願日 |
2010/3/29 |
| 出願人 |
国立大学法人茨城大学 |
| 公開番号 |
特開2011-210845 |
| 公開日 |
2011/10/20 |
| 登録番号 |
特許第5660528号 |
| 特許権者 |
国立大学法人茨城大学 |
| 発明の名称 |
ＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
ＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法 |
| 目的 |
約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体を提供する。
そのようなＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体を、高価な装置などを使用せず、短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法を提供する。 |
| 効果 |
不活性ガス導入装置などを使用せずに製造できる、前式で表されるＧａあるいはＳｎでドーピングされた、例えば平均直径約１ｍｍ以上、好ましくは約１ｃｍ以上、さらに好ましくは約１０〜２０ｃｍに達する、ＭｎＳｉが含まれていないバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体であって、安価であり、ＧａあるいはＳｎでドーピングされているので約３００〜６００℃の中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料として有効利用できる外、光センサ、光学素子などとしても有効利用できる。 |
技術概要
 |
下式（１）あるいは下式（２）で表されるとともにＭｎＳｉが含まれていないことを特徴とするＧａあるいはＳｎでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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