| 出願番号 |
特願2011-522712 |
| 出願日 |
2010/7/12 |
| 出願人 |
国立大学法人茨城大学 |
| 公開番号 |
WO2011/007544 |
| 公開日 |
2011/1/20 |
| 登録番号 |
特許第5465249号 |
| 特許権者 |
国立大学法人茨城大学 |
| 発明の名称 |
磁気浮上制御装置およびハイブリッド型磁気軸受け |
| 技術分野 |
機械・加工 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
永久磁石と電磁石を併用して浮上対象物の位置を制御する磁気浮上制御装置およびハイブリッド型磁気軸受け |
| 目的 |
永久磁石と電磁石とを互いの磁束が重畳する位置に配置しても、電磁石によって形成される制御磁束について、バイアス磁束を発生させるための永久磁石の磁気抵抗の影響を減少させることにより、電磁石により形成される制御磁束の損失を抑制し、磁気浮上対象物の位置制御を行うための大きな磁束を得ることの出来る磁気浮上制御装置およびハイブリッド型磁気軸受けを提供する。 |
| 効果 |
バイアス磁束が電磁石の電磁石コアを通るように形成されると共に、制御磁束の磁路となるバイパス磁路が、バイアス用永久磁石と並列に形成されており、該バイパス磁路がバイアス磁束の通過を阻止する方向に磁化されているように構成することにより、バイアス用永久磁石と電磁石とを互いの磁束が重畳する位置に配置することができ、装置を小型化することができる。 |
技術概要
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バイアス用永久磁石によって形成されるバイアス磁束と、電磁石によって形成される制御磁束とによって前記電磁石に対する磁気浮上対象物の位置を制御する磁気浮上制御装置であって、
前記バイアス磁束が前記電磁石の電磁石コアを通るように形成されると共に、
前記制御磁束の磁路となるバイパス磁路が前記バイアス用永久磁石と並列に形成されており、
該バイパス磁路が前記バイアス磁束の通過を阻止する方向に磁化されていることを特徴とする磁気浮上制御装置。 |
| イメージ図 |
|
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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