半導体集積回路装置及びその製造方法

開放特許情報番号
L2019001657
開放特許情報登録日
2019/9/20
最新更新日
2019/9/20

基本情報

出願番号 特願2010-541378
出願日 2009/12/3
出願人 国立大学法人茨城大学
公開番号 WO2010/064732
公開日 2010/6/10
登録番号 特許第5366270号
特許権者 国立大学法人茨城大学
発明の名称 半導体集積回路装置及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体集積回路装置
目的 高エレクトロマイグレーション耐性と低抵抗を有する銅配線を実現する半導体集積回路装置を安価に量産化できるための製造方法を提供する。
効果 平均結晶粒径が通常法におけるアニール処理によって得られた銅配線の平均結晶粒径の1.15倍以上に大きい線幅70nm以下の銅配線を実現でき、エレクトロマイグレーション耐性が高く低抵抗で高信頼・長寿命の半導体集積回路装置を提供することができる。
技術概要
回路素子が形成された半導体基体と、前記半導体基体の主表面上に形成された絶縁層と、少なくとも前記絶縁層を利用して形成されたトレンチと、前記トレンチ内に形成され銅配線を備えた半導体集積回路装置において、
前記銅配線の平均結晶粒径が336nm以上であって、前記銅配線の平均結晶粒径をdavとし、最大結晶粒径dmaxと最小結晶粒径dminとの差を結晶粒径幅Δdとしたとき、Δd/davで表される前記銅配線の粒径分布幅が1.2から0.3の範囲にあることを特徴とする半導体集積回路装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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