半導体装置

開放特許情報番号
L2019001594
開放特許情報登録日
2019/9/6
最新更新日
2019/9/6

基本情報

出願番号 特願2018-536911
出願日 2017/2/23
出願人 国立研究開発法人科学技術振興機構
公開番号 WO2018/042707
公開日 2018/3/8
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 n型導電型を有する半導体結晶の表面に設けられるオーミック性の高い接触の(低いショットキー障壁φ↓Bを持つ)コンタクト構造
目的 n型半導体側の接合界面領域に新たな半導体層をわざわざ設けるのではなく、n型半導体の表面に接合される電極材料の選択そのものにより、オーミック性の高い接触を実現する。また、n型半導体側の接合界面付近の高濃度のドナー層の配置に加えて、φ↓Bの小さな電極を実現することで、コンタクト抵抗率を大きく減少させることができる。
効果 室温におけるバンドギャップが1.2eV以下のn型導電型を有する半導体結晶の表面に、電子濃度が1×10↑22cm↑-3未満の材料から成るコンタクト層を直接設けることとしたので、コンタクト層側から半導体表面側への波動関数の浸み出しが抑制され、その結果、フェルミレベルピンニング現象に起因する障壁φ↓Bの発生が抑制され、オーミック性の高い接触を実現することができる。
技術概要
室温におけるバンドギャップが1.2eV以下のn型導電型を有する半導体結晶の表面に、電子濃度が1×10↑22cm↑-3未満の材料から成るコンタクト層が直接設けられているコンタクト構造を備えている、半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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