配線パターンの形成方法

開放特許情報番号
L2019001557
開放特許情報登録日
2019/9/6
最新更新日
2019/9/6

基本情報

出願番号 特願2011-185402
出願日 2011/8/29
出願人 学校法人 芝浦工業大学
公開番号 特開2012-074682
公開日 2012/4/12
登録番号 特許第5920808号
特許権者 学校法人 芝浦工業大学
発明の名称 配線パターンの形成方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 配線パターンを形成する技術
目的 触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散性を制御して、欠陥の無いグラファイト膜を形成することができるグラフェン構造を含むグラファイト膜による配線パターンの形成方法を提供する。
効果 従来の「移し取り」工程を用いることなく、触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散性を制御して、欠陥の無いグラフェン構造を含むグラファイト膜で構成された配線パターンをより確実に形成することができる。
技術概要
基材上に、炭素を拡散するニッケル、コバルト及び鉄よりなる群から選択される少なくとも1種の元素を含む第一成分と、前記第一成分の凝集及び/又は前記第一成分への炭素の拡散を抑制するホウ素又はリンの元素を含む第二成分と、を含む触媒層を形成する触媒層形成工程と、
前記触媒層のうちの前記基材とは反対側の面に、グラフェン構造を含むグラファイト膜を形成するグラファイト膜形成工程と、
を有すること、
を特徴とする配線パターンの形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2019 INPIT