強誘電体記憶素子及び強誘電体記憶装置

開放特許情報番号
L2019001434
開放特許情報登録日
2019/8/19
最新更新日
2019/8/19

基本情報

出願番号 特願2005-331366
出願日 2005/11/16
出願人 国立大学法人神戸大学
公開番号 特開2007-142014
公開日 2007/6/7
登録番号 特許第4883672号
特許権者 国立大学法人神戸大学
発明の名称 強誘電体記憶素子及び強誘電体記憶装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 強誘電体記憶素子及び強誘電体記憶装置
目的 簡素な構造で高集積化に向くだけでなく、データを破壊することなくデータを読み出すことができる強誘電体記憶素子及び強誘電体記憶装置を提供する。
効果 データの書込み及び読出しを行うためには、第1及び第2電極の2個でよく、また、スイッチング素子も不要である。このため、構造が簡素であり、高集積化に向く。
技術概要
互いに対向する第1及び第2電極間に、有機強誘電体から成る有機強誘電体層と該有機強誘電体層の少なくとも一方面に有機半導体から成る有機半導体層とが積層され、
互いに逆極性の第1及び第2電圧値の第1及び第2電圧を前記第1及び第2電極間に印加することによって前記有機強誘電体層における残留分極の分極方向を設定し、前記第1及び第2電圧値の間における電圧値を前記第1及び第2電極間に印加した場合に前記第1及び第2電極間に流れる電流の有無を検知することによって前記残留分極の分極方向を検知すること
を特徴とする強誘電体記憶素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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