メモリセルアレイを用いたIDチップおよびその生成方法

開放特許情報番号
L2019001425
開放特許情報登録日
2019/8/19
最新更新日
2019/8/19

基本情報

出願番号 特願2010-219910
出願日 2010/9/29
出願人 国立大学法人神戸大学
公開番号 特開2012-073954
公開日 2012/4/12
登録番号 特許第5499365号
特許権者 国立大学法人神戸大学
発明の名称 メモリセルアレイを用いたIDチップおよびその生成方法
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 固有の識別情報を有するIDチップおよびその生成方法
目的 認証データ生成用の専用回路が不要で、SRAMのメモリセル構造をそのまま用いて、複製不可能な固有の識別情報を半導体メモリに予め搭載でき、セキュリティの向上を図れるIDチップおよびその生成方法を提供する。
効果 認証データ生成用の専用回路が不要で、SRAMのメモリセル構造をそのまま用いて、複製不可能な固有の識別情報データを半導体メモリに予め搭載し、セキュリティの向上を図ることができる。
技術概要
メモリセルアレイを構成する個々のメモリセルの閾値電圧のバラツキにより、メモリセルアレイに生成されたランダムなデータを固有の識別情報として用いるIDチップであって、
前記メモリセルは、各々の出力がメモリセルの列に対応して配置される一対のビット線の各々に至る経路に接続されるクロスカップル接続された一対のインバータと、ビット線とインバータの出力との間に設けられた一対のアクセストランジスタと、該アクセストランジスタの導通を制御する1本のワード線と、から少なくとも構成され、
“0”または“1”の初期データが書き込まれた後に、両ビット線を同時に“Low”としてデータ書き込みが行われたものであることを特徴とするIDチップ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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