| 出願番号 |
特願2009-053490 |
| 出願日 |
2009/3/6 |
| 出願人 |
地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター |
| 公開番号 |
特開2010-210253 |
| 公開日 |
2010/9/24 |
| 登録番号 |
特許第5697309号 |
| 特許権者 |
地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター |
| 発明の名称 |
局在プラズモン共鳴センサの製造方法 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
局在表面プラズモン共鳴現象を利用した化学センサ |
| 目的 |
金属微細構造を持つ局在プラズモン共鳴センサにおいて、リソグラフィ法による製造上必要不可欠な、誘電体基板と金属微細構造の間に挿入される導電層または密着層としての金属層を除去することなく、且つ複雑、高価な製造工程を必要とすることのない、良好な特性を持つセンサを提供する。 |
| 効果 |
誘電体基板１と金属微細構造６の間に設けられた導電層または密着層２に誘電体化処理を施して誘電体層７とすることにより、導電層または密着層２の除去処理を必要とすることなく、良好な特性を持つセンサを実現することができる。 |
技術概要
 |
金属微細構造を持つ局在プラズモン共鳴センサの製造方法であって、誘電体基板上に導電層または密着層を設け、該導電層または密着層上に金属微細構造を形成し、その後誘電体基板と金属微細構造の間の導電層または密着層を酸化処理して誘電体化する、ことを特徴とする局在プラズモン共鳴センサ製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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