| 出願番号 |
特願2009-298462 |
| 出願日 |
2009/12/28 |
| 出願人 |
国立大学法人東京工業大学 |
| 公開番号 |
特開2011-137740 |
| 公開日 |
2011/7/14 |
| 登録番号 |
特許第5581477号 |
| 特許権者 |
国立大学法人東京工業大学 |
| 発明の名称 |
プラズマを用いたサンプリング法およびサンプリング装置 |
| 技術分野 |
情報・通信、電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
サンプリング法およびサンプリング装置 |
| 目的 |
分析対象物を破壊することなく、試料を採取し、直接、分析装置に導入することができるとともに、分析精度を向上させることを可能とするプラズマを用いたサンプリング法およびサンプリング装置を提供する。 |
| 効果 |
分析対象物を破壊することなく、その表層部のごく一部のみを飛散させてサンプルガスとし、当該サンプルガスをガス流によって直接、分析装置に導入することができる。したがって、従来のような複雑な前処理を行う必要がないため、分析精度の高い、迅速な分析を行うことが可能となる。 |
技術概要
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サンプリング室の開放部を、分析対象物の表面もしくは分析対象物が載置された載置台の表面に対して密着させることによって形成される大気圧近傍の閉空間内に、全体または一部が納められた分析対象物の表面に前記分析対象物が放電損傷することのないプラズマ温度が低温のプラズマを放出し、その表層部を蒸気または粒子として気相中に飛散させてサンプルガスとし、当該サンプルガスをプラズマの放出によって生じるガス流によって前記閉空間から導入手段を通して分析装置に導入することを特徴とするプラズマを用いたサンプリング法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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