高抵抗電極を用いたピクセル型電極による粒子線画像検出器

開放特許情報番号
L2019001228
開放特許情報登録日
2019/7/24
最新更新日
2019/7/24

基本情報

出願番号 特願2010-117877
出願日 2010/5/23
出願人 国立大学法人神戸大学
公開番号 特開2011-247602
公開日 2011/12/8
登録番号 特許第5604751号
特許権者 国立大学法人神戸大学
発明の名称 高抵抗電極を用いたピクセル型電極による粒子線画像検出器
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 ピクセル型電極構造を有する粒子線画像検出器の動作安定性向上
目的 電極間に局地的に大電流が流れるような放電現象を自発的に抑制でき、動作の安定性を向上できるピクセル型電極の粒子線画像検出器を提供する。
効果 フィルム状のポリイミドなど高抵抗性を有する導電体を用いて、ピクセル型電極構造の陰極電極を覆うことにより、電極間に局地的に大電流が流れるような放電現象を電圧降下作用により自発的に抑制することができ、これにより動作の安定化を図ることができる。
技術概要
絶縁体基板を貫通し上端面が前記絶縁体基板の表面に露出する円柱状陽極電極を有し、前記絶縁体基板の裏面に形成される陽極電極パターンと、前記円柱状陽極電極の上端面の回りに円形状の開口部を有し、前記絶縁体基板の表面に形成される陰極電極パターンと、を具備するピクセル型電極の粒子線画像検出器において、
前記陰極電極パターンの表面全体が10Ω・m以上1000Ω・m以下の比抵抗を有する高抵抗性を有する導電体により被覆されたことを特徴とする粒子線画像検出器。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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