ポリアニリン半導体材料

開放特許情報番号
L2019001217
開放特許情報登録日
2019/7/24
最新更新日
2019/7/24

基本情報

出願番号 特願2010-031649
出願日 2010/2/16
出願人 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
公開番号 特開2011-171383
公開日 2011/9/1
登録番号 特許第5404465号
特許権者 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター
発明の名称 ポリアニリン半導体材料
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 ポリアニリン半導体材料
目的 製造に伴う廃棄物の処理が容易な新規なポリアニリン半導体材料およびその製造方法を提供する。
効果 化学的操作では必要であった廃液の処理などが不要になる。更には、注入するイオンのエネルギーを制御することにより、導電性を付与する深さ制御、ないしはマスキング技術等の部分加工および/又は微細加工への応用も可能となる。
技術概要
ポリアニリン誘導体へのプロトン注入により得られるポリアニリン半導体材料であって;抵抗率が100Ωcm以下であり、且つ、FT−IRで検出可能なN↑+−H結合を有することを特徴とするポリアニリン半導体材料。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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