| 出願番号 |
特願2013-240142 |
| 出願日 |
2009/3/6 |
| 出願人 |
地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター |
| 公開番号 |
特開2014-059316 |
| 公開日 |
2014/4/3 |
| 登録番号 |
特許第5753568号 |
| 特許権者 |
地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター |
| 発明の名称 |
局在プラズモン共鳴センサ及びその製造方法 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
局在表面プラズモン共鳴現象を利用した化学センサ |
| 目的 |
金属微細構造を持つ局在プラズモン共鳴センサにおいて、リソグラフィ法による製造上必要不可欠な、誘電体基板と金属微細構造の間に挿入される導電層または密着層としての金属層を除去することなく、且つ複雑、高価な製造工程を必要とすることのない、良好な特性を持つセンサを提供する。 |
| 効果 |
金属微細構造を持つ局在プラズモン共鳴センサであって、誘電体基板と金属微細構造の間に設けられた導電層または密着層が誘電体化処理により誘電体層とされている、ことを特徴とする局在プラズモン共鳴センサを提供する。 |
技術概要
 |
金属微細構造を持つ局在プラズモン共鳴センサであって、
誘電体基板上に密着層として金属層が設けられ、該金属層上にナノホール、ナノドット、またはナノディスクである金属微細構造が設けられており、
前記誘電体基板と前記金属微細構造の間には前記金属層が酸化処理されることにより変化した酸化誘電体層が設けられる、ことを特徴とする局在プラズモン共鳴センサ。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)