| 出願番号 |
特願2000-285785 |
| 出願日 |
2000/9/20 |
| 出願人 |
株式会社フジクラ |
| 公開番号 |
特開2002-100601 |
| 公開日 |
2002/4/5 |
| 登録番号 |
特許第4721497号 |
| 特許権者 |
株式会社フジクラ |
| 発明の名称 |
シリコンウェーハの加工方法、及び半導体ひずみセンサの製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
シリコンウェーハの加工方法、半導体ひずみセンサの製造方法 |
| 目的 |
シリコンウェーハにウエットエッチングにより凹所を形成して、その凹所の底部として薄肉部を形成する場合に、薄肉部の破壊強度を向上させることのできる半導体ひずみセンサの製造方法を提供することを目的とする。 |
| 効果 |
シリコンウェーハの凹所形成時のウエットエッチングにより凹所内面に生じた無数の微小欠陥が前記の酸化処理により取り除かれ、微小欠陥によるシリコンの強度低下を防止することができ、薄肉部の破壊強度を大幅に向上させることができた。 |
技術概要
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本発明は、シリコンウェーハを直接ウエットエッチングする際に発生する微小欠陥の悪影響を改善するシリコンウェーハの加工方法、及び、例えばピエゾ抵抗式圧力センサの製造工程等において、シリコンウェーハにウエットエッチングにより凹所を形成して、その凹所の底部として薄肉部を形成する工程に適用して好適な半導体ひずみセンサの製造方法に関する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
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