磁気メモリ素子

開放特許情報番号
L2019000868
開放特許情報登録日
2019/6/18
最新更新日
2020/9/18

基本情報

出願番号 特願2019-010092
出願日 2019/1/24
出願人 国立大学法人信州大学
公開番号 特開2020-120001
公開日 2020/8/6
発明の名称 磁気メモリ素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 磁気メモリ素子
目的 消費電力が低く、磁性細線において安定して磁壁を移動でき長時間の動作が可能な、高速スピントランジスタ、高速磁気メモリ素子を提供する。
効果 少ない電界強度で磁性細線内の磁壁や磁気スキルミオンの移動を制御することができる。これにより、第3電極と磁性細線の間の絶縁層の膜厚を厚くすることができ、絶縁層のピンホール等によるリーク電流の発生を抑制できる。
技術概要
一方向に延在するように設けられ磁性細線と、
前記磁性細線に接し前記磁性細線の延在する方向に沿って離間して設けられた第1電極および第2電極と、
前記第1電極および第2電極との間の前記磁性細線の一面に対向して設けられた第3電極と、
前記磁性細線と前記第3電極との間に設けられ前記磁性細線に接しかつ前記第3電極に接する絶縁層と、
前記磁性細線に近接して配置された少なくとも1つの磁界センサとを備え、
前記磁性細線が、磁性層と遷移金属層が交互に積層された積層構造を有する
ことを特徴とする磁気メモリ素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 譲渡についての可・不可はそのときの状況によります。

登録者情報

登録者名称 株式会社信州TLO

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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