磁気メモリ素子
- 開放特許情報番号
- L2019000868
- 開放特許情報登録日
- 2019/6/18
- 最新更新日
- 2023/7/24
基本情報
| 出願番号 | 特願2019-010092 |
|---|---|
| 出願日 | 2019/1/24 |
| 出願人 | 国立大学法人信州大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2020/8/6 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人信州大学 |
| 発明の名称 | 磁気メモリ素子 |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | 磁気メモリ素子 |
| 目的 | 消費電力が低く、磁性細線において安定して磁壁を移動でき長時間の動作が可能な、高速スピントランジスタ、高速磁気メモリ素子を提供する。 |
| 効果 | 少ない電界強度で磁性細線内の磁壁や磁気スキルミオンの移動を制御することができる。これにより、第３電極と磁性細線の間の絶縁層の膜厚を厚くすることができ、絶縁層のピンホール等によるリーク電流の発生を抑制できる。 |
技術概要) |
一方向に延在するように設けられ磁性細線と、
前記磁性細線に接し前記磁性細線の延在する方向に沿って離間して設けられた第１電極および第２電極と、 前記第１電極および第２電極との間の前記磁性細線の一面に対向して設けられた第３電極と、 前記磁性細線と前記第３電極との間に設けられ前記磁性細線に接しかつ前記第３電極に接する絶縁層と、 前記磁性細線に近接して配置された少なくとも１つの磁界センサとを備え、 前記磁性細線が、磁性層と遷移金属層が交互に積層された積層構造を有する ことを特徴とする磁気メモリ素子。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
アピール情報
| アピール内容 | 譲渡についての可・不可はそのときの状況によります。 |
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登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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