光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法

開放特許情報番号
L2019000717
開放特許情報登録日
2019/5/24
最新更新日
2019/5/24

基本情報

出願番号 特願2014-203923
出願日 2014/10/2
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2015-099915
公開日 2015/5/28
登録番号 特許第6463937号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光電変換素子
目的 良好なpn接合が得られ、暗電流を低減でき、高S/N比が得られる可視光用の光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法を提供すること。
効果 暗電流を低減し、良好なpn接合が得られ、暗電流を低減でき、高S/N比が得られる可視光用の光電変換素子、及び、光電変換素子の製造方法を提供できるという特有の効果が得られる。
技術概要
第1電極層と、
前記第1電極層に積層されるp型半導体層と、
前記p型半導体層に積層されるn型半導体層と、
前記n型半導体層に積層されるノンドープの酸化ガリウム層と、
前記ノンドープの酸化ガリウム層に積層される第2電極層と
を具え、
前記n型半導体層は、酸素欠陥又は不純物注入によってキャリア濃度が増大された酸化ガリウム層で構成される、光電変換素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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