| 出願番号 |
特願2010-138027 |
| 出願日 |
2010/6/17 |
| 出願人 |
国立大学法人金沢大学 |
| 公開番号 |
特開2012-001394 |
| 公開日 |
2012/1/5 |
| 登録番号 |
特許第5545567号 |
| 特許権者 |
国立大学法人金沢大学 |
| 発明の名称 |
単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| 技術分野 |
無機材料、金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
単結晶ダイヤモンド成長用の基材及び単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| 目的 |
結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材を提供すること、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法を提供すること。 |
| 効果 |
結晶性の高い単結晶ダイヤモンドをヘテロエピタキシャル成長させることができ、しかも安価で大面積なダイヤモンドを成長させることができるダイヤモンド成長用基材が提供され、及び安価に大面積高結晶性単結晶ダイヤモンドを製造する方法が提供される。 |
技術概要
 |
単結晶ダイヤモンドを成長させるための基材であって、少なくとも、
種基材と、該種基材の前記単結晶ダイヤモンドを成長させる側にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム膜、白金膜、ロジウム膜のいずれかからなり、
前記種基材は、グラファイトか、またはベース基材上にグラファイト層が形成されたものであることを特徴とする単結晶ダイヤモンド成長用の基材。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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