| 出願番号 |
特願2018-238097 |
| 出願日 |
2018/12/20 |
| 出願人 |
国立大学法人信州大学 |
| 公開番号 |
特開2020-102482 |
| 公開日 |
2020/7/2 |
| 登録番号 |
特許第7182766号 |
| 特許権者 |
国立大学法人信州大学 |
| 発明の名称 |
チップインダクタ |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
電子回路に用いられるチップインダクタ |
| 目的 |
小型電子機器のRF回路に用いられるチップインダクタの配線で生じる表皮効果や近接効果による高周波損失を低減して、低抵抗でＱ値の高い高性能のチップインダクタを提供する。 |
| 効果 |
配線層が積層された積層構造として構成され、コイル導体の幅方向の両側面部と両端縁部が磁性体により被覆されていることにより、磁束が磁性体に誘導されコイル導体を迂回して分布し、表皮効果や近接効果による高周波損失を低減させ、低抵抗でＱ値の高い高性能のチップインダクタとして提供することができる。 |
技術概要
 |
矩形の断面形状を有するコイル導体を備える配線層が、層間に非磁性材からなる絶縁層を介して積層され、前記コイル導体がエッジワイズ状のコイルとして積層体中に埋設されたチップインダクタであって、
前記コイル導体の幅方向の両側面部と両端縁部が、コイル導体の全長にわたり、磁性体により被覆されていることを特徴とするチップインダクタ。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)