抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法

開放特許情報番号
L2019000627
開放特許情報登録日
2019/5/16
最新更新日
2019/5/16

基本情報

出願番号 特願2014-105646
出願日 2014/5/21
出願人 国立大学法人金沢大学
公開番号 特開2015-220445
公開日 2015/12/7
登録番号 特許第6356486号
特許権者 国立大学法人金沢大学
発明の名称 抵抗変化型メモリ及び抵抗変化型メモリの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 強誘電体を用いた抵抗変化型メモリ
目的 強誘電体を用いた抵抗変化型メモリにおいて、より簡単な構造にて強誘電性に起因した電気特性を発現させ、抵抗変化型メモリをより安定に動作させる。
効果 強誘電体を用いた抵抗変化型メモリにおいて、より簡単な構造にて強誘電性に起因した電気特性を発現でき、抵抗変化型メモリをより安定に動作できる。
技術概要
BiFeO↓3のBiの一部がNd又はErによって元素置換された強誘電体により形成された強誘電体層と、
前記強誘電体層中における分極により変化する第1エネルギー障壁を有するように、前記強誘電体層の第1主面上に形成された第1電極層と、
前記強誘電体層中における分極により変化する第2エネルギー障壁を有するように、前記第1主面とは反対側の前記強誘電体層の主面である第2主面上に形成された第2電極層と、
を備え、
前記第1電極層の電位が前記第2電極層の電位よりも高い正方向に前記強誘電体層中において分極反転可能な第1電圧を印加してONデータを書き込み、前記第1電極層の電位が前記第2電極層の電位よりも低い負方向に前記第1電圧を印加してOFFデータを書き込み、前記正方向に前記強誘電体層中において分極反転しない第2電圧を印加してデータを読み出す第1動作モードと、
前記負方向に前記第1電圧を印加してONデータを書き込み、前記正方向に前記第1電圧を印加してOFFデータを書き込み、前記負方向に前記第2電圧を印加してデータを読み出す第2動作モードと、
をメモリ動作モードとして含む、
抵抗変化型メモリ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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