電界効果トランジスタ

基本情報

出願番号	特願2015-093772
出願日	2015/5/1
出願人	国立大学法人金沢大学
公開番号	特開2016-213280
公開日	2016/12/15
発明の名称	電界効果トランジスタ
技術分野	電気・電子
機能	機械・部品の製造
適用製品	電界効果トランジスタ
目的	優れたキャリア制御特性を有する電界効果トランジスタの提供。
効果	層状構造からなる二次元物質の薄膜をキャリア移動のチャネルとし、ゲートに強誘電体を用いたことによりゲート電圧に対するドレイン電流に強誘電性ヒステリシスが発現し、キャリア制御が可能になる。
技術概要	二次元物質からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	有限会社金沢大学ティ・エル・オー