水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ
- 開放特許情報番号
- L2019000513
- 開放特許情報登録日
- 2019/4/19
- 最新更新日
- 2019/7/26
基本情報
| 出願番号 | 特願2015-138068 |
|---|---|
| 出願日 | 2015/7/9 |
| 出願人 | 国立大学法人金沢大学 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2017/1/26 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立大学法人金沢大学 |
| 発明の名称 | 水素終端ダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタ |
| 技術分野 | 電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | 電界効果トランジスタ |
| 目的 | 高い表面キャリア密度を有する水素終端表面からなるダイヤモンドを用いた電界効果トランジスタの提供。 |
| 効果 | 水素終端ダイヤモンドの表面伝導層をチャネルとし、ゲートに強誘電体を用いたことにより、この強誘電体の強い分極により効率的にキャリアを誘起することができ、自発分極によるノーマリーオフ動作の実現が期待される。 |
技術概要) |
水素終端ダイヤモンドの表面伝導層からなるチャネルに、強誘電体からなるゲートを組み合せたことを特徴とする電界効果トランジスタ。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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