炭化珪素(SiC)の成膜装置のクリーニング

開放特許情報番号
L2019000502
開放特許情報登録日
2019/4/19
最新更新日
2019/4/19

基本情報

出願番号 特願2011-184846
出願日 2011/8/26
出願人 大陽日酸株式会社
公開番号 特開2013-046020
公開日 2013/3/4
登録番号 特許第5763477号
特許権者 大陽日酸株式会社
発明の名称 炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去方法
技術分野 電気・電子、化学・薬品
機能 洗浄・除去
適用製品 炭化珪素(SiC)の成膜装置のクリーニング技術
目的 炭化珪素の成膜装置のチャンバー内のクリーニングを行う。
効果 炭化珪素の成膜装置の内面のクリーニングを、インサイチュ(in−situ)で、チャンバー内の損傷を抑制しかつ短時間で行うことができる。
技術概要
図のような構成の成膜装置において、炭化珪素コートよりも表面状態が粗く、(111)面が多く、組成がSiリッチなチャンバー内壁の付着物は、プラズマ化したF含有ガス及びO含有ガスで優先的に除去される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 大陽日酸株式会社

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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