炭化珪素（ＳｉＣ）の成膜装置のクリーニング

基本情報

出願番号	特願2011-184846
出願日	2011/8/26
出願人	大陽日酸株式会社
公開番号	特開2013-046020
公開日	2013/3/4
登録番号	特許第5763477号
特許権者	大陽日酸株式会社
発明の名称	炭化珪素成膜装置、及び炭化珪素除去方法
技術分野	電気・電子、化学・薬品
機能	洗浄・除去
適用製品	炭化珪素（ＳｉＣ）の成膜装置のクリーニング技術
目的	炭化珪素の成膜装置のチャンバー内のクリーニングを行う。
効果	炭化珪素の成膜装置の内面のクリーニングを、インサイチュ（ｉｎ－ｓｉｔｕ）で、チャンバー内の損傷を抑制しかつ短時間で行うことができる。
技術概要	図のような構成の成膜装置において、炭化珪素コートよりも表面状態が粗く、（１１１）面が多く、組成がSiリッチなチャンバー内壁の付着物は、プラズマ化したF含有ガス及びO含有ガスで優先的に除去される。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	大陽日酸株式会社