| 出願番号 |
特願2014-126508 |
| 出願日 |
2014/6/19 |
| 出願人 |
大陽日酸株式会社 |
| 公開番号 |
特開2016-004982 |
| 公開日 |
2016/1/12 |
| 登録番号 |
特許第6339423号 |
| 特許権者 |
大陽日酸株式会社 |
| 発明の名称 |
半導体製造装置構成部材の清浄化方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
洗浄・除去、加熱・冷却、加圧・減圧 |
| 適用製品 |
半導体製造装置の構成部材のクリーニング技術 |
| 目的 |
グラファイト、炭化珪素、炭化珪素被覆グラファイト、石英を材質とする半導体製造装置の構成部材（以下、部材）に付着した金属成分を、部材にダメージを与えることなく、効率よく確実に除去する。 |
| 効果 |
部材に付着した金属成分を一酸化炭素と反応させることで、金属成分は沸点の低い金属カルボニルとなり、温度と圧力を最適化することで除去できる。 |
技術概要
 |
図のように、混合ガス（一酸化炭素含有率１０％以上）を洗浄装置内に導入し、部材に付着した金属不純物を金属カルボニルとして脱離する。
この時の温度を６０〜１００℃、圧力を２５〜１０１ｋＰａとする。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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